CSD87335Q3DT备选型号: BSC020N03LSGATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 输入电压-Nom
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 场效应管类型
  • 输入电压(最大)
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 控制技术
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 供应电流-最大值(Isup)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 切换器配置
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 开关频率-最大值
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 25A
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Matte Tin (Sn)
    6W
    无铅
    260
    1
    0.65mm
    not_compliant
    未说明
    CSD87335
    12V
    开关控制器
    2 N-Channel (Dual)
    27V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    1050pF @ 15V
    7.4nC @ 4.5V
    20mA
    30V
    BUCK
    25A
    750mV
    1500kHz
    Standard
    6.7mOhm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    FLAT
    未说明
    -
    -
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.2V @ 250μA
    -
    7200pF @ 15V
    93nC @ 10V
    -
    -
    -
    28A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    SILICON
    28A Ta 100A Tc
    2009
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    96W
    DRAIN
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    7ns
    ±20V
    20V
    30V
    0.0029Ohm
    400A
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