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CSD87335Q3DT备选型号: IPD135N03LGATMA1

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  • 控制技术
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  • 供应电流-最大值(Isup)
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  • 器件厚度
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  • 无铅
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  • 已出版
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  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • Texas Instruments
    CSD87335Q3DT
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 25A
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Matte Tin (Sn)
    6W
    无铅
    260
    1
    0.65mm
    not_compliant
    未说明
    CSD87335
    12V
    开关控制器
    2 N-Channel (Dual)
    27V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    1050pF @ 15V
    7.4nC @ 4.5V
    20mA
    30V
    BUCK
    25A
    750mV
    1500kHz
    Standard
    6.7mOhm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD135N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPD135N03L G - MOSFET, N CH, 30A, 30V, PG-TO252-3
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.2V @ 250μA
    -
    1000pF @ 15V
    10nC @ 10V
    -
    30V
    -
    30A
    -
    -
    -
    -
    6.73mm
    6.22mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    30A Tc
    2008
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    8541.29.00.95
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    31W
    DRAIN
    3 ns
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 30A, 10V
    ±20V
    2.2 ns
    TO-252AA
    20V
    210A
    20 mJ
    2.41mm
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