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首页 全部分类 CSD87335Q3DT vs IPD70N03S4L04ATMA1

CSD87335Q3DT备选型号: IPD70N03S4L04ATMA1

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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
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  • 模拟 IC - 其他类型
  • 场效应管类型
  • 输入电压(最大)
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  • 控制技术
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 供应电流-最大值(Isup)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 切换器配置
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  • 阈值电压
  • 开关频率-最大值
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD87335Q3DT
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 25A
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Matte Tin (Sn)
    6W
    无铅
    260
    1
    0.65mm
    not_compliant
    未说明
    CSD87335
    12V
    开关控制器
    2 N-Channel (Dual)
    27V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    1050pF @ 15V
    7.4nC @ 4.5V
    20mA
    30V
    BUCK
    25A
    750mV
    1500kHz
    Standard
    6.7mOhm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD70N03S4L04ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    not_compliant
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.2V @ 30μA
    -
    3300pF @ 25V
    48nC @ 10V
    -
    -
    -
    30A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    70A Tc
    2008
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3 ns
    4.3m Ω @ 70A, 10V
    无卤素
    2ns
    ±16V
    16V
    30V
    70A
    280A
    57 mJ
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