您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD87351ZQ5D vs BSZ100N03MSGATMA1

CSD87351ZQ5D备选型号: BSZ100N03MSGATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 接口IC类型
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    CSD87351ZQ5D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    12W
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD87351
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    2.1V @ 250μA
    1255pF @ 15V
    7.7nC @ 4.5V
    10ns
    30V
    4.2 ns
    32A
    基于半桥的mosfet驱动器
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    6mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ100N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON
    -
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    N-Channel
    2V @ 250μA
    1700pF @ 15V
    23nC @ 10V
    2.8ns
    -
    -
    40A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    10A Ta 40A Tc
    2005
    5
    DUAL
    8
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    ±20V
    2V
    16V
    30V
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON 对比
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11 对比
FDD8878 FDD8878 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比