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首页 全部分类 CSD87351ZQ5D vs IRFH9310TRPBF

CSD87351ZQ5D备选型号: IRFH9310TRPBF

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  • ECCN 代码
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 场效应管类型
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  • 连续放电电流(ID)
  • 接口IC类型
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD87351ZQ5D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    12W
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD87351
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    2.1V @ 250μA
    1255pF @ 15V
    7.7nC @ 4.5V
    10ns
    30V
    4.2 ns
    32A
    基于半桥的mosfet驱动器
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    6mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH9310TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    2 (1 Year)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    260
    -
    30
    -
    P-Channel
    2.4V @ 100μA
    5250pF @ 15V
    58nC @ 4.5V
    47ns
    30V
    70 ns
    21A
    -
    -
    950μm
    6mm
    5mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    21A Ta 40A Tc
    2010
    3
    DUAL
    R-PDSO-N3
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    25 ns
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 21A, 10V
    ±20V
    -1.9V
    20V
    40A
    0.0046Ohm
    -30V
    -1.9 V
    无SVHC
    无
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