CSD87351ZQ5D备选型号: FDD8878
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 接口IC类型
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSONACTIVE (Last Updated: 2 days ago)16 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerLDFN8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)12W无铅260not_compliant未说明CSD873512 N-Channel (Dual) Asymmetrical2.1V @ 250μA1255pF @ 15V7.7nC @ 4.5V10ns30V4.2 ns32A基于半桥的mosfet驱动器逻辑电平门1.5mm5mm6mm1.5mmROHS3 Compliant含铅-----------------------
- Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99--鸥翼----N-Channel2.5V @ 250μA880pF @ 15V26nC @ 10V79ns-27 ns40A--2.39mm6.73mm6.22mm-ROHS3 Compliant无铅260.37mgSILICON11A Ta 40A Tc2005230V40AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET40WDRAIN7 nsSWITCHING15m Ω @ 35A, 10V±20V1.2VTO-252AA20V30V25 mJ无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON | 对比 |
![]() | IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11 | 对比 |
![]() | FDD8878 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |






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