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首页 全部分类 CSD87351ZQ5D vs IPD090N03LGATMA1

CSD87351ZQ5D备选型号: IPD090N03LGATMA1

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  • 场效应管特性
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  • 无铅
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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Texas Instruments
    CSD87351ZQ5D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    12W
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD87351
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    2.1V @ 250μA
    1255pF @ 15V
    7.7nC @ 4.5V
    10ns
    30V
    4.2 ns
    32A
    基于半桥的mosfet驱动器
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    6mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD090N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11
    -
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    N-Channel
    2.2V @ 250μA
    1600pF @ 15V
    15nC @ 10V
    3ns
    -
    2.6 ns
    40A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    40A Tc
    2006
    2
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    4 ns
    SWITCHING
    9m Ω @ 30A, 10V
    ±20V
    20V
    30V
    280A
    70 mJ
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