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首页 全部分类 CSD87355Q5D vs IRF6621TR1PBF

CSD87355Q5D备选型号: IRF6621TR1PBF

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  • 基本部件号
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  • 模拟 IC - 其他类型
  • 场效应管类型
  • 输入电压(最大)
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 开关频率-最大值
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 器件厚度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 已出版
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  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD87355Q5D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    YES
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    12W
    无铅
    1
    1.27mm
    not_compliant
    CSD87355
    12V
    开关稳压器
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    27V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    1860pF @ 15V
    13.7nC @ 4.5V
    30V
    BUCK
    45A
    1.9V
    1500kHz
    Standard
    3.9mOhm
    5mm
    6mm
    1.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6621TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
    -
    -
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    -
    5
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.25V @ 250μA
    -
    1460pF @ 15V
    17.5nC @ 4.5V
    30V
    -
    9.6A
    1.8V
    -
    -
    12.1mOhm
    4.826mm
    3.95mm
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    DIRECTFET™ SQ
    12A Ta 55A Tc
    2006
    150°C
    -40°C
    20V
    12A
    42W
    12 ns
    9.1mOhm @ 12A, 10V
    14ns
    ±20V
    4.1 ns
    20V
    30V
    1.46nF
    9.1 mΩ
    1.8 V
    506μm
    无
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