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首页 全部分类 CSD87355Q5D vs IRFHM8329TRPBF

CSD87355Q5D备选型号: IRFHM8329TRPBF

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  • 器件厚度
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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 配置
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  • 功率耗散
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD87355Q5D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    YES
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    12W
    无铅
    1
    1.27mm
    not_compliant
    CSD87355
    12V
    开关稳压器
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    27V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    1860pF @ 15V
    13.7nC @ 4.5V
    30V
    BUCK
    45A
    1.9V
    1500kHz
    Standard
    3.9mOhm
    5mm
    6mm
    1.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8329TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
    -
    39 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.2V @ 25μA
    -
    1710pF @ 10V
    26nC @ 10V
    -
    -
    16A
    1.7V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    16A Ta 57A Tc
    2013
    DUAL
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.6W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    6.1m Ω @ 20A, 10V
    74ns
    ±20V
    14 ns
    20V
    30V
    230A
    43 mJ
    无
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