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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥28.594665
10
¥26.976097
100
¥25.449147
500
¥24.008628
1000
¥22.649654
Texas Instruments CSD87355Q5D
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- 对比
CSD87355Q5D
2502-CSD87355Q5D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerLDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CSD87355Q5D详情
Texas Instruments CSD87355Q5D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerLDFN
表面安装
YES
引脚数
8
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最大功率耗散
12W
终端形式
无铅
功能数量
1
端子间距
1.27mm
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
CSD87355
输入电压-Nom
12V
模拟 IC - 其他类型
开关稳压器
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
输入电压(最大)
27V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250μA
控制技术
脉宽调制
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1860pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13.7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
切换器配置
BUCK
连续放电电流(ID)
45A
阈值电压
1.9V
开关频率-最大值
1500kHz
场效应管特性
Standard
漏源电阻
3.9mOhm
长度
5mm
宽度
6mm
器件厚度
1.5mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
CSD87355Q5D拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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