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首页 全部分类 CYDM256B16-55BVXI vs IS43DR16320C-3DBL

CYDM256B16-55BVXI备选型号: IS43DR16320C-3DBL

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  • 访问时间
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  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • Cypress Semiconductor Corp
    CYDM256B16-55BVXI
    Cypress Semiconductor Corp
    SRAM 256K 16Kx16 MoBL Dual Port IND
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    100-VFBGA
    100
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    1996
    e1
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    100
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 2.7V~3.3V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    0.5mm
    30
    CYDM
    100
    1.8V
    1.9V
    1.8/3V
    1.7V
    256Kb 16K x 16
    2
    25mA
    SRAM
    Parallel
    16KX16
    3-STATE
    16
    55ns
    28b
    256 kb
    0.000006A
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    1.7V
    6mm
    1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43DR16320C-3DBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    -
    -
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    -
    1
    1.8V
    0.8mm
    -
    -
    -
    1.8V
    1.9V
    -
    1.7V
    512Mb 32M x 16
    1
    250mA
    DRAM
    Parallel
    32MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    15b
    512 Mb
    0.011A
    -
    COMMON
    -
    -
    -
    12.5mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Copper, Silver, Tin
    AUTO/SELF REFRESH
    120mA
    333MHz
    450ps
    16b
    8192
    48
    48
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