Cypress Semiconductor Corp CYDM256B16-55BVXI

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-VFBGA

引脚数

100

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

已出版

1996

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

100

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 供电

1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 2.7V~3.3V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

1.8V

端子间距

0.5mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

CYDM

引脚数量

100

工作电源电压

1.8V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9V

电源

1.8/3V

电源电压-最小值(Vsup)

1.7V

内存大小

256Kb 16K x 16

端口的数量

2

电源电流

25mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

16KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

28b

密度

256 kb

待机电流-最大值

0.000006A

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

待机电压-最小值

1.7V

长度

6mm

座位高度(最大)

1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅