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首页 全部分类 DF150R12RT4HOSA1 vs FF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1备选型号: FF150R12RT4HOSA1

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • Infineon Technologies
    DF150R12RT4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1200V 150A
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    5
    SILICON
    2.15V
    150A
    -40°C~150°C
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    R-XUFM-X4
    单斩波器
    Single
    790W
    ISOLATED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    490 ns
    沟渠现场停车
    无
    9.3nF @ 25V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    FF150R12RT4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 150A 790W
    16 Weeks
    Screw
    表面贴装
    Module
    7
    -
    1.75V
    150A
    -40°C~150°C TJ
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    UPPER
    -
    7
    R-XUFM-X5
    半桥
    Dual
    790W
    ISOLATED
    -
    -
    -
    Standard
    1.2kV
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    490 ns
    沟渠现场停车
    无
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    C
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FF150R12RT4HOSA1 FF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 1200V 150A 790W 对比