Infineon Technologies DF150R12RT4HOSA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.15V

Current-Collector (Ic) (Max)

150A

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2002

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X4

配置

单斩波器

元素配置

Single

功率耗散

790W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集极截止电流

1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

185 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.15V @ 15V, 150A

关断时间-标准值（toff)

490 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

9.3nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅