DMB54D0UDW-7备选型号: NMSD200B01-7

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 最小直流增益(hFE)
  • 漏源电阻
  • VCEsat-最大值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs(最大值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    MOSFET NMOS PNP TRANS SOT-363
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    通用型
    ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
    100mA PNP 160mA N-Channel
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMB54D0U
    6
    不合格
    单个内置双极晶体管和二极管
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    50V
    PNP, N-Channel
    160mA
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.25W
    0.1A
    220
    5Ohm
    0.4 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    200mA Ta
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    200mA
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    -
    6
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DEPLETION MODE
    SWITCHING
    -
    -
    200mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    60V
    1
    200mW
    20 ns
    N-Channel
    3 Ω @ 50mA, 5V
    3V @ 1mA
    50pF @ 25V
    ±20V
    20V
    0.2A
    2Ohm
    60V
    Schottky Diode (Isolated)
    5 pF
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无铅
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