DMB54D0UDW-7
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Diodes Incorporated DMB54D0UDW-7

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型号

DMB54D0UDW-7

utmel 编号

671-DMB54D0UDW-7

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NMOS PNP TRANS SOT-363

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DMB54D0UDW-7
DMB54D0UDW-7 Diodes Incorporated MOSFET NMOS PNP TRANS SOT-363

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DMB54D0UDW-7详情

Diodes Incorporated DMB54D0UDW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 质量

    6.010099mg

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rated

    45V PNP 50V N-Channel

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 应用

    通用型

  • 附加功能

    ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD

  • 额定电流

    100mA PNP 160mA N-Channel

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    160mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    DMB54D0U

  • 引脚数量

    6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    单个内置双极晶体管和二极管

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    50V

  • 晶体管类型

    PNP, N-Channel

  • 连续放电电流(ID)

    160mA

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.25W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1A

  • 最小直流增益(hFE)

    220

  • 漏源电阻

    5Ohm

  • VCEsat-最大值

    0.4 V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & DMB54D0UDW-7相似的参数规格。

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DMB54D0UDW-7拓展信息

LMN400B01-7
LMN400B01-7

Diodes Incorporated

LMN200B02-7
LMN200B02-7

Diodes Incorporated

LMN200B01-7
LMN200B01-7

Diodes Incorporated

DTM3A25P20NFDB-7
DTM3A25P20NFDB-7

Diodes Incorporated

DMB54D0UV-13
2N7002KW
2N7002KW

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VN2222LL
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A1015
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BS250
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BC857CW
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