DMC1018UPD-13备选型号: DMN2016UTS-13
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
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- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 高度
- 长度
- 宽度
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- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 12V POWERDI506017 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN89.5A 6.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012013e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)2.3W未说明未说明N and P-Channel17m Ω @ 11.8A, 4.5V1.5V @ 250μA1525pF @ 6V30.4nC @ 8V12V 20V6.9AStandardROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP16 Weeks表面贴装表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)82-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2009e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)880mW--2 N-Channel (Dual) Common Drain14.5m Ω @ 9.4A, 4.5V1V @ 250μA1495pF @ 10V16.5nC @ 4.5V20V8.58A逻辑电平门ROHS3 Compliant157.991892mgSILICON814.5mOhm鸥翼DMN2016U8Dual增强型MOSFET880mW10.39 nsSWITCHING11.66ns16.27 ns8V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1.025mm4.5mm3.1mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC1016UPD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 | 对比 |
![]() | DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | 对比 |
| BSL802SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP | 对比 |





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