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DMC1030UFDBQ-7备选型号: DMP1045UFY4-7
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- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN202015 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012011e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY1.36WDUAL无铅S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN1.36WN and P-Channel ComplementarySWITCHING34m Ω @ 4.6A, 4.5V1V @ 250μA1003pF @ 6V23.1nC @ 10V12VN-CHANNEL AND P-CHANNEL5.1A0.034Ohm12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant---------
MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-315 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN-5.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2012e4活跃1 (Unlimited)-EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-----Single增强型MOSFET--P-Channel-32m Ω @ 4A, 4.5V1V @ 250μA1291pF @ 10V23.7nC @ 8V12V-5.5A----ROHS3 Compliant3114 ns22ns±8V75 ns8V-12V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC1229UFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 | 对比 |
| DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN | 对比 |
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