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首页 全部分类 DMC2004LPK-7 vs DMN2300UFB4-7B

DMC2004LPK-7备选型号: DMN2300UFB4-7B

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 宽度
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  • 电阻
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMC2004LPK-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, No Lead
    6
    21.092045mg
    SILICON
    750mA 600mA
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    500mW
    BOTTOM
    260
    40
    6
    增强型MOSFET
    500mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    550m Ω @ 540mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    150pF @ 16V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    600mA
    8V
    0.75A
    0.55Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    480μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2300UFB4-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    -
    SILICON
    1.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    -
    BOTTOM
    260
    40
    3
    增强型MOSFET
    500mW
    N-Channel
    SWITCHING
    175m Ω @ 300mA, 4.5V
    950mV @ 250μA
    64.3pF @ 25V
    -
    1.3A
    8V
    -
    -
    20V
    -
    -
    400μm
    1.05mm
    650μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    175mOhm
    1
    Single
    DRAIN
    3.5 ns
    1.6nC @ 4.5V
    2.8ns
    ±8V
    13 ns
    950mV
    150°C
    无铅
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