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DMC2004LPK-7备选型号: DMP21D0UFB4-7B
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- 端子表面处理
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- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 通道数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 无铅
MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN16 Weeks表面贴装表面贴装6-SMD, No Lead621.092045mgSILICON750mA 600mA-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY500mWBOTTOM260406增强型MOSFET500mWN and P-ChannelSWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16VN-CHANNEL AND P-CHANNEL600mA8V0.75A0.55Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门480μm1.6mm1.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant-----------
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN17 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3-SILICON770mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e4yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD-BOTTOM260403增强型MOSFET990mWP-ChannelSWITCHING495m Ω @ 400mA, 4.5V700mV @ 250μA80pF @ 10V-1.17A8V0.86A0.4Ohm-20V--350μm1.05mm650μm无SVHC无ROHS3 CompliantGold1SingleDRAIN7.1 ns1.54nC @ 8V8ns20V±8V18.5 ns无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN | 对比 |
 | DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN | 对比 |
 | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | 对比 |
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