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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.84234
10
¥4.568246
100
¥4.309665
500
¥4.065725
1000
¥3.83559
Diodes Incorporated DMC2004LPK-7
- 收藏
- 对比
DMC2004LPK-7
671-DMC2004LPK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, No Lead
大陆
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MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC2004LPK-7详情
Diodes Incorporated DMC2004LPK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
引脚数
6
质量
21.092045mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
750mA 600mA
Number of Elements
2
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
500mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 16V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
600mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.75A
漏极-源极导通最大电阻
0.55Ohm
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
480μm
长度
1.6mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMC2004LPK-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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