DMC3021LSD-13备选型号: IRF7416TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 系列
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 行间距
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.5W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMC3021
    8
    增强型MOSFET
    2.5W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    21m Ω @ 7A, 10V
    2.1V @ 250μA
    767pF @ 10V
    16.1nC @ 10V
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    8.5A
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    超低电阻
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 5.6A, 10V
    1V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    92nC @ 10V
    30V
    -
    -10A
    20V
    -
    -
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Tin
    HEXFET®
    SMD/SMT
    20mOhm
    -30V
    -10A
    6.3 mm
    1
    Single
    18 ns
    49ns
    ±20V
    60 ns
    -2.04V
    -30V
    45A
    -30V
    370 mJ
    85 ns
    150°C
    -20 V
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS8882 FDS8882 ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 对比
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 对比
IRF9333TRPBF IRF9333TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC 对比