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首页 全部分类 DMC3021LSD-13 vs IRF9333TRPBF

DMC3021LSD-13备选型号: IRF9333TRPBF

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  • 端子位置
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 电阻
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMC3021LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.5W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMC3021
    8
    增强型MOSFET
    2.5W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    21m Ω @ 7A, 10V
    2.1V @ 250μA
    767pF @ 10V
    16.1nC @ 10V
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    8.5A
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9333TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    9.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    P-Channel
    SWITCHING
    19.4m Ω @ 9.2A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1110pF @ 25V
    38nC @ 10V
    30V
    -
    -9.2A
    20V
    -
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    19.4MOhm
    Single
    16 ns
    44ns
    ±20V
    49 ns
    -1.8V
    -30V
    75A
    -1.8 V
    无铅
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