DMC3032LSD-13备选型号: DMN3024LSD-13
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 基本部件号
- 功率耗散
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP15 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)873.992255mgSILICON8.1A 7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY2.5WDUAL鸥翼2604082增强型MOSFET10.1 nsN and P-ChannelSWITCHING32m Ω @ 7A, 10V2.1V @ 250μA404.5pF @ 15V9.2nC @ 10V6.5ns30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL22.2 ns7A20V-30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC无ROHS3 Compliant---
- MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO17 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)873.992255mgSILICON6.8A-55°C~150°C TJDigi-Reel®2009e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)-1.8W-鸥翼260408-增强型MOSFET2.9 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING24m Ω @ 7A, 10V3V @ 250μA608pF @ 15V12.9nC @ 10V3.3ns--8 ns7.2A20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无SVHC无ROHS3 CompliantDMN3024LSD2W5.7A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9410TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | 对比 |
![]() | DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | 对比 |




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