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首页 全部分类 DMC3032LSD-13 vs IRF9410TRPBF

DMC3032LSD-13备选型号: IRF9410TRPBF

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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 行间距
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMC3032LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    8.1A 7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2.5W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    2
    增强型MOSFET
    10.1 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    32m Ω @ 7A, 10V
    2.1V @ 250μA
    404.5pF @ 15V
    9.2nC @ 10V
    6.5ns
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    22.2 ns
    7A
    20V
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9410TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    7.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 7A, 10V
    1V @ 250μA
    550pF @ 25V
    27nC @ 10V
    7.3ns
    -
    -
    17 ns
    7A
    20V
    30V
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    30mOhm
    30V
    7A
    6.3 mm
    Single
    2.5W
    ±20V
    1V
    30V
    70 mJ
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    Contains Lead, Lead Free
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