DMC6070LND-13备选型号: DMN6070SFCL-7
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- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
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- 基本部件号
- JESD-30代码
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- 箱体转运
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- 晶体管应用
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- Vgs(最大值)
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN83.1A 2.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)1.4W未说明未说明N and P-Channel85m Ω @ 1.5A, 10V3V @ 250μA731pF @ 20V11.5nC @ 10V60V2.4AStandardROHS3 Compliant--------------------
- MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN23 Weeks表面贴装表面贴装6-PowerUFDFN63A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e4活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)---N-Channel85m Ω @ 1.5A, 10V3V @ 250μA606pF @ 20V12.3nC @ 10V-3A-ROHS3 CompliantSILICON3DUAL无铅DMN6070S-PDSO-N31Single增强型MOSFETDRAIN3.5 nsSWITCHING4.1ns±20V11 ns20V3A0.085Ohm60V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN6070SFCL-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN | 对比 |
| VEC2415-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 | 对比 | |
![]() | BSR606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 | 对比 |





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