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DMC6070LND-13备选型号: DMN6075S-7
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- Vgs（最大值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN83.1A 2.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)1.4W未说明未说明N and P-Channel85m Ω @ 1.5A, 10V3V @ 250μA731pF @ 20V11.5nC @ 10V60V2.4AStandardROHS3 Compliant--------
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-323 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)-26030N-Channel85m Ω @ 3.2A, 10V3V @ 250μA606pF @ 20V12.3nC @ 10V-2A-ROHS3 Compliant1800mW3.5 ns±20V20V60V150°C1.1mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN6070SFCL-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN | 对比 |
 | VEC2415-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 | 对比 |
 | BSR606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 | 对比 |
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