DMG1016VQ-13备选型号: DMG1012T-7
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N/P-CH 20V SOT56315 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666870mA 640mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)530mW未说明未说明N and P-Channel400m Ω @ 600mA, 4.5V1V @ 250μA60.67pF @ 16V0.74nC @ 4.5V20V640mA逻辑电平门ROHS3 Compliant---------------------------
- MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-52314 Weeks表面贴装表面贴装SOT-523630mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012-活跃1 (Unlimited)-----N-Channel400mOhm @ 600mA, 4.5V-60.67pF @ 16V0.74nC @ 4.5V20V630mA-ROHS3 CompliantTin3SOT-5232.012816mg1V @ 250μA400MOhm150°C-55°C1Single280mW5.1 ns7.4ns±6V12.3 ns1V6V20V60.67pF300mOhm400 mΩ800μm1.7mm850μm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDG6317NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PowerTrench® MOSFET, Dual 20V N-Channel, 0.7 A, 400 mO | 对比 |
![]() | DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 | 对比 |
![]() | DMN2500UFB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN | 对比 |






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