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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.445542
10
¥1.363716
100
¥1.286523
500
¥1.213704
1000
¥1.145002
Diodes Incorporated DMG1016VQ-13
- 收藏
- 对比
DMG1016VQ-13
671-DMG1016VQ-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 20V SOT563
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMG1016VQ-13详情
Diodes Incorporated DMG1016VQ-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
870mA 640mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
530mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 600mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
60.67pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.74nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
640mA
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMG1016VQ-13拓展信息
Diodes Incorporated
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