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首页 全部分类 DMG2302U-7 vs DMN2075U-7

DMG2302U-7备选型号: DMN2075U-7

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 资历状况
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Diodes Incorporated
    DMG2302U-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
    5 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    7.994566mg
    SILICON
    28.1 ns
    1V @ 50μA
    2012
    Digi-Reel®
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    90MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 3.6A, 4.5V
    594.3pF @ 10V
    7nC @ 4.5V
    9.8ns
    ±8V
    6.7 ns
    4.2A
    1V
    8V
    20V
    1.4mm
    3mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2075U-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
    40 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    7.994566mg
    SILICON
    1
    1V @ 250μA
    2012
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    45mOhm
    -
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    7.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 3.6A, 4.5V
    594.3pF @ 10V
    7nC @ 4.5V
    9.8ns
    ±8V
    6.7 ns
    4.2A
    1V
    8V
    -
    1.4mm
    3mm
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    无铅
    Tin
    不合格
    20V
    20V
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