Diodes Incorporated DMN2075U-7

工厂交货时间

40 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta

Turn Off Delay Time

28.1 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

45mOhm

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800mW

接通延迟时间

7.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

38m Ω @ 3.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

594.3pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 4.5V

上升时间

9.8ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

6.7 ns

连续放电电流(ID)

4.2A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

8V

DS 击穿电压-最小值

20V

高度

1.1mm

长度

3mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅