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首页 全部分类 DMG3415UFY4-7 vs NTLGF3501NT1G

DMG3415UFY4-7备选型号: NTLGF3501NT1G

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  • 品牌:
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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Diodes Incorporated
    DMG3415UFY4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    400mW Ta
    1V @ 250μA
    2009
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    490mW
    DRAIN
    79 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    39m Ω @ 4A, 4.5V
    281.9pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    175ns
    16V
    ±8V
    568 ns
    2.5A
    8V
    -16V
    1.575mm
    350μm
    2.08mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLGF3501NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2.8A Ta
    2V @ 250μA
    2006
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.74W
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 3.4A, 4.5V
    275pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    13.6ns
    -
    ±12V
    13.6 ns
    2.8A
    12V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    FETKY™
    20V
    C 弯管
    3.4A
    R-XDSO-C6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.09Ohm
    13.8A
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