Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

400mW Ta

Turn Off Delay Time

884.5 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

已出版

2009

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

490mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

79 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

39m Ω @ 4A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

281.9pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

上升时间

175ns

漏源电压 (Vdss)

16V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

568 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-16V

宽度

1.575mm

高度

350μm

长度

2.08mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅