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首页 全部分类 DMG7401SFGQ-7 vs BSZ088N03MSGATMA1

DMG7401SFGQ-7备选型号: BSZ088N03MSGATMA1

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMG7401SFGQ-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
    6 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    940mW Ta
    3V @ 250μA
    2013
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    P-Channel
    11m Ω @ 12A, 20V
    2987pF @ 15V
    58nC @ 10V
    30V
    ±25V
    9.8A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ088N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON
    18 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    1
    2V @ 250μA
    2011
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    N-Channel
    8m Ω @ 20A, 10V
    2100pF @ 15V
    27nC @ 10V
    -
    ±20V
    11A
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    OptiMOS™
    5
    DUAL
    无铅
    R-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    3ns
    20V
    30V
    40A
    0.0097Ohm
    25 mJ
    not_compliant
    含铅
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