DMG7401SFGQ-7备选型号: DMP3017SFGQ-7
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 制造商包装标识符
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-86 Weeks8-PowerVDFN表面贴装表面贴装8940mW Ta3V @ 250μA2013Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明P-Channel11m Ω @ 12A, 20V2987pF @ 15V58nC @ 10V30V±25V9.8AROHS3 Compliant--------
- MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI33315 Weeks8-PowerVDFN表面贴装表面贴装811.5A Ta3V @ 250μA2014Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明P-Channel10m Ω @ 11.5A, 10V2246pF @ 15V41nC @ 10V30V±25V-11.5AROHS3 CompliantPOWERDI3333-81940mW7.5 ns25V-30V150°C850μm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP3017SFGQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET P-CH 30V 11.5A POWERDI333 | 对比 |
![]() | BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin DSO T/R | 对比 |
![]() | BSZ088N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON | 对比 |





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