DMGD7N45SSD-13备选型号: FQS4903TF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO17 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)SILICON500mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012014e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1.64W鸥翼R-PDSO-G8SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)SWITCHING4 Ω @ 400mA, 10V4.5V @ 1mA256pF @ 25V6.9nC @ 10V450V500mA0.5A4Ohm2.2A450V56 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant--------------------
- Trans Mosfet N-ch 500V 0.37A 8-PIN SOIC N T/r5 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®-e3活跃1 (Unlimited)8EAR99--2W鸥翼--增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)SWITCHING6.2 Ω @ 185mA, 10V4V @ 250μA200pF @ 25V8.2nC @ 10V-370mA0.37A----METAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)Tin8230.4mgyes500V370mAFQS4903Dual2W5.5 ns20ns45 ns25V500V500V4 V无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQS4903TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans Mosfet N-ch 500V 0.37A 8-PIN SOIC N T/r | 对比 | |
![]() | STS1DNC45 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A | 对比 |




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