STMicroelectronics STS1DN45K3

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperMESH3™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.8Ohm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最大功率耗散

1.3W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STS1D

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.7W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

450V

连续放电电流(ID)

500mA

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

漏源击穿电压

450V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅