Diodes Incorporated DMGD7N45SSD-13

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.64W

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 400mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

256pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.9nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

450V

连续放电电流(ID)

500mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

漏极-源极导通最大电阻

4Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2.2A

DS 击穿电压-最小值

450V

雪崩能量等级（Eas）

56 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant