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首页 全部分类 DMHC4035LSD-13 vs AUIRF7379QTR

DMHC4035LSD-13备选型号: AUIRF7379QTR

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  • 宽度
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  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMHC4035LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    4.5A 3.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.5W
    2
    3.6 ns
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    45m Ω @ 3.9A, 10V
    3V @ 250μA
    574pF @ 20V
    12.5nC @ 10V
    2.9ns
    15.3 ns
    3.7A
    20V
    40V
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF7379QTR
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    5.8A 4.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.5W
    -
    -
    N and P-Channel
    45m Ω @ 5.8A, 10V
    3V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    -
    -
    4.3A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    8
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1V
    0.045Ohm
    46A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1 V
    无SVHC
    无
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