DMHC4035LSD-13备选型号: NDS8858H
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 额定电流
- 功率耗散
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC23 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)873.992255mg4.5A 3.7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)1.5W23.6 ns2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)45m Ω @ 3.9A, 10V3V @ 250μA574pF @ 20V12.5nC @ 10V2.9ns15.3 ns3.7A20V40V逻辑电平门1.5mm4.95mm3.95mmROHS3 Compliant----
- MOSFET CMOSFET Half Bridge-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg6.3A 4.8A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--Obsolete1 (Unlimited)--1W--N and P-Channel35m Ω @ 4.8A, 10V2.8V @ 250μA720pF @ 15V30nC @ 10V20ns19 ns4.8A20V30V逻辑电平门---符合RoHS标准4.8A2.5W无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRF7379QTR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC | 对比 |
| NDS8858H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET CMOSFET Half Bridge | 对比 | |
| FDS4895C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC | 对比 |




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