ON Semiconductor NDS8858H
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NDS8858H
1807-NDS8858H
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET CMOSFET Half Bridge
--最小包装量--
NDS8858H详情
ON Semiconductor NDS8858H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
230.4mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.3A 4.8A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
1W
额定电流
4.8A
功率耗散
2.5W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
35m Ω @ 4.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
720pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
20ns
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
4.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NDS8858H拓展信息









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