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DMN1019USN-7备选型号: IRLML6401TRPBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电容量
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 引脚数
- 系列
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC5916 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-37.994566mgSILICON9.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)2.426nFDUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G31Single增强型MOSFET7.6 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 9.7A, 4.5V800mV @ 250μA2426pF @ 10V50.6nC @ 8V57.6ns±8V16.8 ns9.3A4.5V12VROHS3 Compliant无铅-------------------
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-2312 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-SILICON4.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003e3活跃1 (Unlimited)3EAR99--DUAL鸥翼26030-1Single增强型MOSFET11 nsP-ChannelSWITCHING50m Ω @ 4.3A, 4.5V950mV @ 250μA830pF @ 10V15nC @ 5V32ns±8V210 ns-4.3A8V-12VROHS3 Compliant无铅Tin3HEXFET®SMD/SMT50mOhmHIGH RELIABILITY-12V-4.3A1.3W12V-550mV-12V150°C-550 mV1.12mm3.0226mm1.397mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 | 对比 |
 | FDN306P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
 | CPH3348-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 | 对比 |
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