DMN1029UFDB-7备选型号: DMC1030UFDBQ-7
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 系列
- 附加功能
- 端子位置
- 极性/通道类型
- MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN15 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.4W无铅未说明未说明S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN1.4W2 N-Channel (Dual)SWITCHING29m Ω @ 5A, 4.5V1V @ 250μA914pF @ 6V19.6nC @ 8V12V5.6A0.029Ohm12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant----
- MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN202015 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.36W无铅--S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN1.36WN and P-Channel ComplementarySWITCHING34m Ω @ 4.6A, 4.5V1V @ 250μA1003pF @ 6V23.1nC @ 10V12V5.1A0.034Ohm12VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 CompliantAutomotive, AEC-Q101HIGH RELIABILITYDUALN-CHANNEL AND P-CHANNEL
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | 对比 |




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