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首页 全部分类 DMN10H120SE-13 vs DMN10H220LE-13

DMN10H120SE-13备选型号: DMN10H220LE-13

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN10H120SE-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    SILICON
    3.6A Ta
    3V @ 250μA
    2015
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 3.3A, 10V
    549pF @ 50V
    10nC @ 10V
    100V
    ±20V
    3.6A
    0.11Ohm
    16A
    100V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN10H220LE-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    SILICON
    4.5V 10V
    2.5V @ 250μA
    2014
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 1.6A, 10V
    401pF @ 25V
    8.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    2.3A
    0.22Ohm
    8A
    100V
    ROHS3 Compliant
    3
    HIGH RELIABILITY
    DMN10H22
    AEC-Q101
    6.8 ns
    8.2ns
    3.6 ns
    20V
    无铅
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