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首页 全部分类 DMN10H120SE-13 vs ZXMP7A17GQTA

DMN10H120SE-13备选型号: ZXMP7A17GQTA

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    DMN10H120SE-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    SILICON
    3.6A Ta
    3V @ 250μA
    2015
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    110m Ω @ 3.3A, 10V
    549pF @ 50V
    10nC @ 10V
    100V
    ±20V
    3.6A
    0.11Ohm
    16A
    100V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMP7A17GQTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    SILICON
    2.6A Ta
    1V @ 250μA
    2015
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    R-PDSO-G4
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 2.1A, 10V
    635pF @ 40V
    18nC @ 10V
    70V
    ±20V
    2.6A
    -
    9.6A
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    7.994566mg
    HIGH RELIABILITY
    ZXMP7A17
    1
    Single
    2.5 ns
    3.4ns
    8 ns
    20V
    -70V
    not_compliant
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