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DMN13H750S-7备选型号: CPH3362-TL-W
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- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 无铅代码
- 配置
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 130V 1A SOT2323 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3770mW Ta4V @ 250μA2015-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel750m Ω @ 2A, 10V231pF @ 25V5.6nC @ 10V130V±20V1AROHS3 Compliant---------------
P-Channel Power MOSFET, -100V, -0.7A, 1.7O7 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3700mA Ta2.6V @ 1mA2017150°C TJTape & Reel (TR)e6ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)EAR99---P-Channel1.7 Ω @ 700mA, 10V142pF @ 20V3.7nC @ 10V100V±20V-700mAROHS3 CompliantTinyesSingle11W3.9 ns3.4ns12 ns20V0.7A-100V150°C1.05mmnot_compliant无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH3462-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 | 对比 |
| DMN10H700S-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET NCH 100V 700MA SOT23 | 对比 |
| DMN10H700S-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23 | 对比 |
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