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DMN2004DWKQ-7备选型号: FDG6306P
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT36316 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363SILICON540mA Ta-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY200mW鸥翼未说明未说明R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)SWITCHING550m Ω @ 540mA, 4.5V1V @ 250μA150pF @ 16V0.95nC @ 8V20V540mA0.54A0.55Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard20 pFROHS3 Compliant-----------------------
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-610 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3活跃1 (Unlimited)6EAR99--300mW鸥翼----增强型MOSFET2 P-Channel (Dual)SWITCHING420m Ω @ 600mA, 4.5V1.5V @ 250μA114pF @ 10V2nC @ 4.5V20V600mA---METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)Tin628mg2001yes-20V-600mADual300mW5.5 ns14ns14 ns-1.2V12V-20V150°C1.1mm2mm1.25mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDG6306P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 | 对比 |
 | DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | 对比 |
 | DMC2004VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | 对比 |
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