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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.056591
10
¥3.826975
100
¥3.61035
500
¥3.405989
1000
¥3.2132
Diodes Incorporated DMN2004DWKQ-7
- 收藏
- 对比
DMN2004DWKQ-7
671-DMN2004DWKQ-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2004DWKQ-7详情
Diodes Incorporated DMN2004DWKQ-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
540mA Ta
Number of Elements
2
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
200mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.95nC @ 8V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
540mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54A
漏极-源极导通最大电阻
0.55Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2004DWKQ-7拓展信息
Diodes Incorporated
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