Diodes Incorporated DMC2004VK-7
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DMC2004VK-7
671-DMC2004VK-7
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
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MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
--最小包装量--
DMC2004VK-7详情
Diodes Incorporated DMC2004VK-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
3.005049mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
670mA 530mA
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
900mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
400mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMC2004VK
引脚数量
6
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
功率 - 最大
450mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 16V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
670mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
600μm
长度
1.6mm
宽度
1.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMC2004VK-7拓展信息
Diodes Incorporated
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