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首页 全部分类 DMN2008LFU-7 vs FDMC8588

DMN2008LFU-7备选型号: FDMC8588

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  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
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  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2008LFU-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1W
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N6
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1W
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    SWITCHING
    5.4m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1.5V @ 250A
    1418pF @ 10V
    42.3nC @ 10V
    20V
    14.5A
    0.0096Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC8588
    ON Semiconductor
    MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    16.5A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 17A, 10V
    1.8V @ 250μA
    1228pF @ 13V
    12nC @ 4.5V
    -
    17A
    0.005Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8
    32.13mg
    PowerTrench®
    yes
    DUAL
    Single
    DRAIN
    8 ns
    3ns
    ±12V
    2 ns
    MO-240BA
    12V
    16.5A
    25V
    60A
    29 mJ
    1mm
    3.4mm
    3.4mm
    无
    无铅
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